其他造纸化学品647ABA9-647

20世纪六七十年代，其他造纸化学品647ABA9-647接触式光刻机是集成电路制造的主流设备。这种机器曝光过程中掩膜版与硅片上的光刻胶直接接触，其他造纸化学品647ABA9-647优点是可以减小光的衍射效应，缺点是会污染损坏掩膜版和光刻胶，缩短掩膜版使用寿命，且极易形成图形缺陷，影响良率。

为了解决上述问题，其他造纸化学品647ABA9-64720世纪70年代开始采用接近式光刻机。这种光刻机在掩膜版和硅片之间有微小间距，其他造纸化学品647ABA9-647由于掩膜版和硅片间距越小，光刻工艺的分辨率越高，当二者间距接近几十微米时，就很难再减小，而且会受衍射效应的影响。

1973年，其他造纸化学品647ABA9-647美国PerkinElmer公司推出首台扫描投影光刻机。这种光刻机与以往光刻机不同在于，其他造纸化学品647ABA9-647光刻时以成像方式将掩膜图形投影转移到硅片上，分辨率由成像系统投影物镜的数值孔径（光学术语）决定。

因此，其他造纸化学品647ABA9-647为了进一步提高数值孔径改进光刻机性能，其他造纸化学品647ABA9-647人类又发明出浸液式光刻机，也就是在某种折射率大于空气的超纯液体中进行光刻，工作时好像把“晶圆”浸没在超纯液体中一样。

其他造纸化学品647ABA9-6473 光刻机又像机床

光刻机又类似于一个机床，其他造纸化学品647ABA9-647它的性能指标包括加工精度和加工速度两个方面，加工精度又可以细分为分辨率和套刻精度两个指标。

其他造纸化学品647ABA9-647货柜式的阿斯麦光刻机

需要指出，其他造纸化学品647ABA9-647光刻机的分辨率跟集成电路工艺的尺寸不是一个概念。目前，其他造纸化学品647ABA9-647最先进的荷兰阿斯麦公司的EUV光刻机，采用的光源波长是13.5纳米的极紫外光，光刻机分辨率为38纳米，但是利用这台光刻机可以实现7纳米、5纳米等集成电路工艺。通常说的台积电或者中芯国际7纳米或者5纳米工艺，指的是集成电路工艺水平，不是光刻机的分辨率。